通用技术集团承建的国家重点项目武汉国家存储器基地建设提速

文章来源:中国通用技术(集团)控股有限责任公司  发布时间:2020-04-20

从4月8日零点起,武汉解除离汉通道管控,按下“暂停键”的武汉正式重启。随着武汉重启,通用技术集团新兴建设承建的国家级高科技重点项目武汉国家存储器基地,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前项目施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。

武汉国家存储器项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,于2019年6月开工,总投资1600亿元,是我国芯片国产化的重要支撑,规划建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND 闪存制造厂房,预计2020年整个项目完成,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元,将进一步助力国家高新技术产业发展。其中,新兴建设承建的此标段工程建筑面积为32.9万平方米。

近日,按照湖北省逐步推进复工复产的要求,项目部有序推进复工复产工作,管理人员提前到岗,准备复工所需防疫物资,做好现场防控管理,盘点现场材料,建立台账,为复工复产做好充分准备;同时,严格做好劳务人员返岗事宜,采取“点对点”精准输送,妥善安排外地人员分批安全有序返岗;在现场设隔离观察室,实行专人每日测量体温,进行实名登记,建立“一人一档”健康档案,并在现场实施全封闭管理,做好现场日常全面消杀工作,确保防疫复工两不误。项目于4月2日获得复工批复,目前正在进行二次施工及部分高层主体结构施工。