中国建筑承建西安三星项目竣工投产

文章来源:中国建筑工程总公司  发布时间:2014-05-14

  5月9日上午,由中国建筑工程总公司所属中建一局承建的西安三星半导体闪存芯片项目,在西安高新区举行竣工投产仪式。

  该项目的竣工,标志着高端闪存芯片由此正式量产,并将生产世界上最先进的10纳米级NAND闪存芯片(V-NAND)。

  该项目刷新的“陕西速度”和“西安效率”,提速了西安“21世纪数字丝绸之路”新起点建设。

【责任编辑:${content.getAttrByFlatName('zrbj').value}】
网页版|英文版|邮箱|国资小新|国资报告

网站管理:国务院国资委宣传局

 

运行维护:国务院国资委新闻中心

技术支持:国务院国资委信息中心

办公地址:北京市宣武门西大街26号 邮编:100053

网站标识码bm27000004

京ICP备05052109号  京公网安备 110401200016号