中国电科与西安电子科技大学携手研发高温MOCVD设备

文章来源:中国电子科技集团公司  发布时间:2012-06-13

  2012年6月7日,中国电子科技集团公司与西安电子科技大学签署高温MOCVD(VHT-MOCVD)设备研发合作协议。

  根据协议,双方将在前期战略合作的基础上,以VHT-MOCVD设备研发项目合作为切入点,共同探索高校与研究所相结合的产学研用创新研发模式;共建VHT-MOCVD工艺研发平台,共同突破制约我国VHT-MOCVD设备发展的设计、制造、工艺等关键技术,形成自主知识产权;共同促进VHT-MOCVD专业人才的培养,形成一支科研能力强、学术水平高的创新团队,并在这一领域积极推动深度合作,逐步推进VHT-MOCVD设备的工程化与产业化,实现MOCVD技术的可持续和跨越式发展,满足我国国民经济和国防建设对VHT-MOCVD设备的需要,填补国际上VHT-MOCVD技术领域的空白,使我国VHT-MOCVD技术在国际上处于领先地位。

【责任编辑:${content.getAttrByFlatName('zrbj').value}】
网页版|英文版|邮箱|国资小新|国资报告

网站管理:国务院国资委宣传局

 

运行维护:国务院国资委新闻中心

技术支持:国务院国资委信息中心

办公地址:北京市宣武门西大街26号 邮编:100053

网站标识码bm27000004

京ICP备05052109号  京公网安备 110401200016号