2012年6月7日,中国电子科技集团公司与西安电子科技大学签署高温MOCVD(VHT-MOCVD)设备研发合作协议。
根据协议,双方将在前期战略合作的基础上,以VHT-MOCVD设备研发项目合作为切入点,共同探索高校与研究所相结合的产学研用创新研发模式;共建VHT-MOCVD工艺研发平台,共同突破制约我国VHT-MOCVD设备发展的设计、制造、工艺等关键技术,形成自主知识产权;共同促进VHT-MOCVD专业人才的培养,形成一支科研能力强、学术水平高的创新团队,并在这一领域积极推动深度合作,逐步推进VHT-MOCVD设备的工程化与产业化,实现MOCVD技术的可持续和跨越式发展,满足我国国民经济和国防建设对VHT-MOCVD设备的需要,填补国际上VHT-MOCVD技术领域的空白,使我国VHT-MOCVD技术在国际上处于领先地位。
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