高压IGBT

20．高压IGBT

【所属领域】核心电子元器件

【中央企业名称】中国中车集团有限公司

【技术产品简介】高压IGBT器件技术门槛非常高，以毫米间距承受数千伏电压，以亚微米精细结构承受数千安培电流，以焦耳级功耗控制兆瓦级功率，批量应用于电力机车、高速动车组、地铁等轨道交通领域，以及大功率变频器装置。覆盖了1700V-6500V的电压等级和500A-1800A的电流输出能力。芯片采用第四代DMOS＋技术，具备低导通压降、软开关特性、裕量大等特性。模块采用AlSiC基板、AlN衬板，具有高热循环能力、高可靠性等特点，满足车辆频繁启动和长距离可靠性运行要求。

【产品图片】

【技术指标】

1．Vce—导通压降典型值：3300VIGBT产品:3.1V@1500A   6500V IGBT产品:3.3V@750A

2．功率循环能力—功率循环能力：≥30万次, △Tj=80℃

3．温度循环能力—温度循环能力：≥20000次；Tj=150℃

联系人：郭维立 联系电话：15873369066